总投资超200亿！长飞先进半导体第三代半导体功率器件研发生产基地落户光谷

　　8月25日，湖北省委常委、武汉市委书记郭元强，市委副书记、市长程用文会见长飞光纤光缆股份有限公司董事长马杰一行。

　　郭元强对长飞光纤长期以来扎根武汉、为经济社会发展作出的贡献表示感谢。他说，当前，武汉正在深入学习贯彻党的二十大精神和习近平总书记考察湖北武汉重要讲话精神，深入实施创新驱动发展战略，扎实推进武汉具有全国影响力的科技创新中心建设，着力构建现代化产业体系，加快转变经济发展方式，加快推进“世界光谷”建设，坚定不移推动高质量发展。长飞光纤是全球光纤光缆行业的领军企业，希望长飞光纤充分发挥龙头企业引领作用，加大投资力度，加快项目建设，加强技术研发攻关，带动我市光电子信息产业高质量发展，持续保持“独树一帜”优势；充分发挥国际视野和投资运营优势，推动资金、技术、人才等高端要素“引进来”和本地特色优势产业“走出去”，助力武汉打造新时代内陆开放新高地。我们将竭诚做好服务，为企业在汉发展壮大营造良好环境。

　　马杰感谢武汉各级党委政府长期以来给予长飞光纤的关心和支持。他说，武汉是建设中的国家中心城市和长江经济带核心城市，近年来创新创业环境持续优化，经济社会高质量发展保持良好势头。长飞光纤将坚定深耕武汉，进一步深化与东湖高新区合作，加大技术攻关力度，加快推进长飞先进半导体武汉基地项目建设，为推动武汉产业转型升级和经济高质量发展作出更大贡献。

　　会见后，东湖高新区管委会与长飞先进半导体签署了第三代半导体功率器件研发生产基地项目合作协议书。

　　市领导曾晟、杜海洋、汪元程，东湖高新区管委会主任张勇强，长飞光纤光缆股份有限公司执行董事兼总裁庄丹参加有关活动。

　　长飞先进第三代半导体 功率器件研发生产基地项目落户光谷

　　助力打造化合物半导体产业高地

　　8月25日，东湖高新区管委会与长飞先进半导体签署了第三代半导体功率器件研发生产基地项目合作协议书。

　　长飞先进第三代半导体功率器件研发生产基地项目总投资预计超过200亿元，其中项目一期总投资100亿元，可年产36万片SiC MOSFET晶圆，包括外延、器件设计、晶圆制造、封装等 ，将助力武汉打造国内化合物半导体产业高地。

　　安徽长飞先进半导体有限公司专注于碳化硅（SiC）功率半导体产品研发及制造，拥有国内一流的产线设备和先进的配套系统，具备从外延生长、器件设计、晶圆制造到模块封测的全流程生产能力和技术研发能力。

　　当前，东湖高新区重点布局化合物半导体产业，将九峰山科技园作为武汉新城重点建设的科技项目。九峰山科技园构建“一核三区，双轴交汇”的空间格局，“一核”即九峰山实验室科技创新核，系统布局实验室、研究院、孵化器等创新业态，“三区”为创新策源区、产业发展区、人才集聚区“三区”。九峰山科技园将构建设备、材料、设计、芯片、器件、模块、制造、封装、检测的全产业链体系，推动创新链、人才链、资金链和产业链深度融合发展，形成创新活跃、要素齐全、开放协同的产业生态，聚力打造世界级化合物半导体产业高地。

　　经过30余年“追光逐芯”，东湖高新区已成为全球最大光纤光缆研发制造基地、中小尺寸显示面板产业基地和国内最大光器件研发生产基地、激光产业基地。作为全国四大集成电路产业基地之一，目前，光谷已聚集一批集成电路产业龙头企业，形成了存储芯片、化合物半导体芯片为两大产业方向，涵盖设计、制造、装备、材料及分销、模组等产业链关键环节的产业集群。