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中国信科成功研制1.6Tb/s硅光芯片,实现国内该项技术重大突破

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2021-12-30 10:31 来源: 中国光谷
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  近日,中国信息通信科技集团光纤通信技术和网络国家重点实验室联合国家信息光电子创新中心(NOEIC)、鹏城实验室,在国内率先完成了 1.6Tb/s硅基光收发芯片 的联合研制和功能验证,实现了我国硅光芯片技 术向 Tb/s级的首次 跨越,为我国下一代数据中心内的宽带互连提供了可靠的光芯片解决方案 。


  1.6Tb/s 硅基光接收芯片
  光芯片是光通信系统中的关键核心器件,硅光芯片作为 采用硅光子技术 的光芯片,是将硅光材料和器件通过特色工艺制造的 新型集成电路 。相对于传统三五族材料光芯片,因使用硅作为集成芯片衬底,硅光芯片具有 集成度高、成本低、光波导传输性能好 等特点。


  200Gb/s PAM4硅基光发射眼图
  目前,国际上 400G光模块 已进入 商用部署 阶段, 800G光模块 样机研制和技术标准 正在推进 中,而 1.6Tb/s光模块 将成为下一步 全球竞相追逐 的热点。


  位于光谷大道的中国信科总部大楼
  在本次1.6Tb/s硅基光收发芯片的联合研制和功能验证中,研究人员分别在单颗硅基光发射芯片和硅基光接收芯片上集成了8个通道高速电光调制器和高速光电探测器,每个通道可实现200Gb/s PAM4高速信号的光电和电光转换,最终经过芯片封装和系统传输测试,完成了单片容量高达8×200Gb/s光互连技术验证。
  该工作 刷新了国内 此前单片光互连速率和互连密度的 最好水平 ,展现出硅光技术的超高速、超高密度、高可扩展性等突出优势,为 下一代数据中心内的宽带互连 提供了可靠的光芯片解决方案,将为 超级计算、人工智能 等新技术、新产业蓬勃发展提供有力支撑。


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  出品 | 光谷融媒体中心 来源 | 中国信科 编辑 | 张希祉
  编审 | 张珊妮 康鹏 审核 | 翟磊 点赞、在看、分享三连击! 让更多人看 到 ▼

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