近日, 首批采用纳米银烧结技术的碳化硅模块 从智新半导体二期产线顺利下线, 完成自主封装、测试 以及应用老化试验。
碳化硅宽禁带半导体是国家“十四五”规划纲要中重点关注的科技前沿领域攻关项目,凭借其优良的高禁带宽度、高电子迁移率、高导热等特点,使得碳化硅模块具有显著的高效率、高压、高工作温度的优势,在中高端新能源汽车中的应用越来越普及。
智新半导体碳化硅模块项目基于东风集团“马赫动力”新一代800V高压平台,项目于2021年进行前期先行开发,2022年12月正式立项为量产项目。碳化硅模块项目以智新半导体封装技术为引领,广泛与中央企业、高等院校开展合作,从模块设计、模块封装测试、电控应用到整车路试等环节,实现关键核心技术的自主掌控。目前,碳化硅模块开发项目已参与国资委专项课题1项,参与行业标准制定2项。
该碳化硅模块,采用纳米银烧结工艺、铜键合技术,使用高性能氮化硅陶瓷衬板和定制化pin-fin散热铜基板,热阻较传统工艺改善10%以上,工作温度可达175℃,损耗相比IGBT模块大幅降低40%以上,整车续航里程提升5%-8%。
智新半导体成立4年来,已申请受理专利51项,其中发明专利40项,已授权专利20项,其中发明专利11项,并获得湖北省“高新技术企业”认证,武汉市专精特新“小巨人”企业认定。