华科博士创业团队专攻半导体新材料 汉产电光调制器芯片速率国际领先

　　长江网记者 万凌

　　成立不满两年的武汉安湃光电有限公司在国内先进半导体产业异军突起——其薄膜铌酸锂电光调制芯片速率是国外同类产品的3倍多，达到国际领先水平。这项技术成果积淀着8位华科博士长达12年的专业探索。

　　率先转向更先进的半导体材料平台

　　安湃光电公司位于武汉江夏经济开发区庙山光电子信息产业园。

　　众所周知，硅芯片因其稳定性和成本优势占据主流市场。

　　安湃光电总经理孙昊骋记得，早在2012年，硅光芯片亦尚处于实验室研究水平时，华中科技大学光电国家研究中心集成光子学研究部课题组（以下简称课题组）就开始转向研究光学性能更佳的薄膜铌酸锂材料平台。

　　“当时，国内一家企业已经做出薄膜铌酸锂晶圆的小尺寸样片。但是由于铌酸锂的硬度远超硅，其刻蚀难度更大，将铌酸锂薄膜晶圆加工成芯片，好比在花岗岩上雕花，而且没有现成工艺参数可供借鉴，因此国内许多研究人员都望而却步。”孙昊骋说，课题组坚持看好这种更先进的材料平台，率先探索薄膜铌酸锂刻蚀工艺。新材料加工路径五花八门，研发团队从千次失败结果中探索可能性路径，终于在2016年成功做出高速调制器样片。

　　安湃光电自主研发的薄膜铌酸锂电光调制芯片速率已达到国际领先水平。记者万凌 摄

　　2017至2021年，课题组承接了多项国家重点研发计划项目。此后，国内多家科研院所慕名找到课题组，将实验室成果转化为市场产品。

　　不久，有合作单位希望扩大产能，课题组看到该技术有广阔的市场前景，开始筹划产业化发展。

　　2021年，2520万元的天使投资将该课题组正式推向市场，并建立相对稳固的股权架构。

　　回武汉布局流片产线

　　经由投资方引荐，上海安湃芯研有限公司（以下简称安湃芯研）在嘉定区注册成立，企业选址靠近张江高科技园和苏州工业园区，方便产品在成熟产线上流片。不久，孙昊骋发现，与其他材料平台共用流片产线导致产品的良率下降。“想实现产业化，还是得自己建产线。”

　　好酒不怕巷子深。2022年，国内知名私募基金同创伟业的投资人主动登门拜访，希望领投安湃芯研A轮融资并鼓励公司在武汉设立研发基地和生产线。经过数月磋商，公司全体一致同意回武汉。

　　考虑到厂房建设的严苛条件，安湃光电选址江夏经开区庙山光电子信息产业园，建立完整的光刻、刻蚀、镀膜、检测、封装产线，设备国产化程度达到80%。“这里靠近光谷，距离华科大只有半小时车程，便于团队开展研究。”

　　记者在安湃光电生产车间看到，一间黄光洁净间内，实验人员在隔绝紫外线的环境下，将光刻胶图案转移到薄膜铌酸锂铌酸锂晶圆上。

　　“3年前，我们的产品良率不到40%。经过每年20次迭代，目前，产品良率接近90%。”孙昊骋说，国内企业研发的上一代体材料调制器速率落后于世界水平，而安湃光电自研的薄膜铌酸锂光子芯片光传输速率是国外同类产品的3倍多，可广泛应用于微波光子领域、数据中心光模块和长距离相干通信光模块。

　　安湃光电建立了完整的光刻、刻蚀、镀膜、检测、封装产线，产品良率接近90%。记者万凌 摄

　　目前，这款产品已经应用在我国时频传递领域，其工作让相距数百公里的不同站点的时差控制在毫秒以下多个数量级。

　　未来，在人工智能、光通信等高速应用场景下，在800G、1.6T、32T光通信模块的技术支持下，安湃光电研发的薄膜铌酸锂光子芯片将实现大模型集群之间互联互通。“不仅信息传输速率提高，我们的芯片还可耐受—40℃至—80℃的恶劣环境。”孙昊骋说，预计到2028年，公司产能有望达到500万颗薄膜铌酸锂光子芯片，年营收可超过7亿元。

　　（值班总编辑 陈志远 值班主任 陈琦 值班编辑 代婧怡）