华中科技大学实现半导体专用光刻胶重大突破

　　近日，华中科技大学 武汉光电国家研究中心团队在半导体专用光刻胶领域实现重大突破。团队研发的T150A光刻胶系列产品，已通过半导体工艺量产验证，实现原材料全部国产化，配方全自主设计，有望开创国内半导体光刻制造新局面。

　　半导体专用光刻胶普遍应用于集成电路芯片制造中，电脑、手机、汽车电子、人工智能、光伏、锂电等都离不开它，产业应用可谓十分广泛。武汉光电国家研究中心团队研发的这款半导体专用光刻胶对标国际头部企业主流KrF光刻胶系列。相较于被业内称之为“妖胶”的国外同系列某产品，T150A在光刻工艺中表现出的 极限分辨率达到120nm，且工艺宽容度更大，稳定性更高，留膜率更优，其对刻蚀工艺表现更好，通过验证发现T150A中密集图形经过刻蚀，下层介质的侧壁垂直度表现优异。

　　团队在电子化学品领域深耕二十余载，立足于关键光刻胶底层技术研究，致力于半导体专用高端 电子化学品原材料和光刻胶的开发，并以新技术路线为半导体制造开辟新型先进光刻制造技术，同时为材料的分析与验证提供最全面的手段。

　　该团队负责人表示：“以光刻技术的分子基础研究和原材料的开发为起点，最终获得具有自主知识产权的配方技术。这只是个开始，我们团队还会发展一系列应用于不同场景下的KrF与 ArF光刻胶，致力于突破国外卡脖子关键技术，为国内相关产业带来更多惊喜。”